2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2017年9月6日(水) 13:30 〜 19:00 A201 (201)

原田 俊太(名大)、加藤 正史(名工大)、三谷 武志(産総研)

15:45 〜 16:00

[6p-A201-9] Si-Cr-Al三元系溶媒を用いたSiC/溶液成長界面のその場観察

〇(M1)中野 倖太1、丸山 伸伍1、松本 祐司1 (1.東北大院工)

キーワード:SiC、結晶成長、その場観察

SiおよびSi-Cr系溶媒にAlを添加した合金を溶媒として,共焦点レーザー顕微鏡を用いたSiC/溶液成長界面のその場観察を行った.Siを溶媒として用いた場合と比較し,Si-Al系溶媒を用いた場合にはより低温にてステップフロー成長が観察された.Si-Cr系溶媒およびこれにAlを添加した溶媒を用いた場合,SiおよびSi-Al系溶媒使用時と比較し高低差の大きいマクロステップが形成される様子が観察された.