[6p-A301-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～

[6p-A301-5] N極性GaNの成長とそのトランジスタへの展開

〇松岡 隆志¹ (1.東北大金研)

キーワード：窒化物半導体、極性、HEMT