The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.2 Carbon-based thin films

[6p-A412-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

Wed. Sep 6, 2017 1:15 PM - 5:30 PM A412 (412)

Kazuhiro Oyama(DENSO), Makoto Kasu(Saga Univ.), Shinichi Shikata(Kwansei Gakuin Univ.)

4:30 PM - 4:45 PM

[6p-A412-12] Influence of SiO2 thin films formed on the hydrogen-terminated diamond surface on a two-dimensional-hole-gas layer

〇(B)Taichi Yabe1, Takuya Kudo1, Sora Kawai1, Miki Kajiya1, Nobutaka Oi1, Satoshi Okubo1, Kiyotaka Horikawa1, Taisuke Kageura1, Shozo Kono1, Atsushi Hiraiwa1, Hiroshi Kawarada1,2 (1.Waseda University, 2.Kagami Memorial Research Institute for Materials Science and Technology)

Keywords:diamond, Si thin films, 2DHG

水素終端ダイヤモンド表面上へSiO2薄膜が2次元正孔ガス層に及ぼす影響について、我々は水素終端ダイヤモンド表面上に高温ALD-Al2O3法によってゲート絶縁膜及びパッシベーション膜として形成し堆積させ、Al2O3によって誘起される2次元正孔ガスをチャネルとした2DHGダイヤモンドMOSFETの作製をしてきた。そこで、クーロン散乱を抑えるために水素終端ダイヤモンド表面上にSiO2を形成することにより、キャリアの移動度向上を図った。