4:30 PM - 4:45 PM
△ [6p-A412-12] Influence of SiO2 thin films formed on the hydrogen-terminated diamond surface on a two-dimensional-hole-gas layer
Keywords:diamond, Si thin films, 2DHG
水素終端ダイヤモンド表面上へSiO2薄膜が2次元正孔ガス層に及ぼす影響について、我々は水素終端ダイヤモンド表面上に高温ALD-Al2O3法によってゲート絶縁膜及びパッシベーション膜として形成し堆積させ、Al2O3によって誘起される2次元正孔ガスをチャネルとした2DHGダイヤモンドMOSFETの作製をしてきた。そこで、クーロン散乱を抑えるために水素終端ダイヤモンド表面上にSiO2を形成することにより、キャリアの移動度向上を図った。