[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [6p-A412-12] 水素終端ダイヤモンド表面上へ形成したSiO₂薄膜が2次元正孔ガス層に及ぼす影響

〇(B)矢部 太一¹、工藤 拓也¹、河合 空¹、梶家 美貴¹、大井 信敬¹、大久保 智¹、堀川 清貴¹、蔭浦 泰資¹、河野 省三¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早稲田大学、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、Si薄膜、2DHG

水素終端ダイヤモンド表面上へSiO2薄膜が2次元正孔ガス層に及ぼす影響について、我々は水素終端ダイヤモンド表面上に高温ALD-Al2O3法によってゲート絶縁膜及びパッシベーション膜として形成し堆積させ、Al2O3によって誘起される2次元正孔ガスをチャネルとした2DHGダイヤモンドMOSFETの作製をしてきた。そこで、クーロン散乱を抑えるために水素終端ダイヤモンド表面上にSiO2を形成することにより、キャリアの移動度向上を図った。