[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [6p-A412-13] 高電界>4×10⁵V/cm下でのALD-Al₂O₃ 2DHGダイヤモンドMOSFETの遮断周波数の向上

〇(B)今西 祥一朗¹、大井 信敬¹、工藤 拓也¹、大久保 智¹、堀川 清貴¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、高周波

ダイヤモンドは優れた物性を有しており、特に、高周波高出力デバイスとして期待されている。高周波デバイスにおいて重要な指標であるカットオフ周波数はソース・ゲート間においてキャリア（正孔）が飽和速度に達し得る電圧を印加することにより向上の期待が持てる。本研究では高電界下での高周波特性をシミュレーションと実際に作製したデバイスにより評価する。