[6p-C16-1~17] Latest Application Researches and Future Prospects of Functional Atomic Layers

[6p-C16-10] Heavily-doped SOI substrate as a gate electrode to fabricate WSe₂ pFET

〇Hiroyuki Takagi¹, Ryo Ikoma¹, Tomoaki Oba¹, Takamasa Kawanago¹ (1.QNERC and Dept. of EE., Tokyo tech.)

Keywords:TMDC, WSe2FET

近年、FETのチャネル層として二次元半導体材料である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)が注目されている。本研究では、高濃度にドーピングされたSOI層をゲート電極に用い、転写法によってTMDCのWSe₂をチャネル層とする電界効果トランジスタ(FET)を作製する。SOI層を熱酸化して作製したSiO₂層は、ゲート電極とソース/ドレイン電極との間を流れるリーク電流を抑制する。このオーバーラップ構造を用いた、WSe₂ FETの特性評価について報告する。