[6p-C17-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[6p-C17-5] Magnetoresistance of Dy-doped indium tin oxide thin films synthesized by sol-gel method.

〇Ryoya Ota¹, Masaharu Nishioka¹, Akira Fujimoto¹, Yukiyasu Kashiwagi², Masashi Saitoh², Masami Nakamoto², Yi-Kai Zhou³, Yoshiyuki Harada¹, Tomosumi Kamimura¹ (1.Osaka Inst of Tech., 2.ORIST, 3.Shanghai Normal Univ.)

Keywords:indium tin oxide, dysprosium, magnetoresistance

本研究では，ゾルゲル法により，Dyを添加した酸化インジウムスズ(Dy-ITO)薄膜の作製を試みた．半導体中にDyを添加することでキャリア誘起の強磁性が期待される．ゾルゲル法を用いることができれば，印刷法を併用したプリンテッドエレクトロニクスの手法によって，希薄磁性半導体薄膜の任意パターン形成が可能になると期待される．今回我々は，Dy濃度の異なるDy-ITO薄膜を作製し，電気特性や磁気抵抗を調べたので報告する．