[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6p-C17-5] ゾルゲル法により作製したDy添加酸化インジウムスズ(Dy-ITO)薄膜の磁気抵抗

〇太田 椋也¹、西岡 正治¹、藤元 章¹、柏木 行康²、斉藤 大志²、中許 昌美²、周 逸凱³、原田 義之¹、神村 共住¹ (1.大工大、2.産技研、3.上師大)

キーワード：酸化インジウムスズ、ジスプロシウム、磁気抵抗

本研究では，ゾルゲル法により，Dyを添加した酸化インジウムスズ(Dy-ITO)薄膜の作製を試みた．半導体中にDyを添加することでキャリア誘起の強磁性が期待される．ゾルゲル法を用いることができれば，印刷法を併用したプリンテッドエレクトロニクスの手法によって，希薄磁性半導体薄膜の任意パターン形成が可能になると期待される．今回我々は，Dy濃度の異なるDy-ITO薄膜を作製し，電気特性や磁気抵抗を調べたので報告する．