[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6p-C17-9] 不純物添加スパッタリング法による高移動度・ナノ結晶フリー a-In₂O₃:Sn薄膜の作製

〇板垣 奈穂¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九大シス情)

キーワード：透明導電膜、アモルファス、スパッタリング

高い表面平坦性や高いエッチング速度といった優位性から，アモルファスIn₂O₃:Sn (a-ITO)膜が注目されている．我々は，温度ではなく「不純物」を新たな制御パラメータとし結晶成長を抑制することで，a-ITO膜のi)高移動度化，ii)熱安定性の向上，iii)ナノ結晶粒の発生抑制，を同時に達成した．この新たな手法の開発は，従来に無い方法論での高品質アモルファス膜の形成を実現するものと期待される．