[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-1] SiHCl₃-SiH_x-H₂系シリコンエピタキシャル成長の反応速度解析

〇入倉 健太¹、渡部 亨¹ (1.横国大院工)

キーワード：エピタキシャル成長、トリクロロシラン、成長機構

SiHCl3を用いたシリコンエピタキシャル成長において、SiHxを添加することによって成長速度を増加させる方法[2]が提案されている。実験により得られた結果を数値解析することにより反応速度定数を求め、シリコン成膜速度の高速化機構を検討したので詳細を報告する。