[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-4] L-18手法を用いた高品質ミニマル深掘りエッチング特性解析

〇田中 宏幸^1,2、小木曽 久人^1,2、中野 禅^1,2、野沢 善幸³、速水 利泰³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：ボッシュ、ミニマル、L-18

ミニマル高速ガス置換ICPボッシュプロセスについては、パラメータが多様のためどの物理パラメータのコンビネーションが効率的に機能しているかを掴んでいなかった。今回、品質工学のL-18手法（タグチメソッド）を利用して解析を行った結果、各パラメータのばらつき（S/N比）や、平均的傾向（感度S）より最適条件を導き出すことができた。装置性能を最大限に引き出すと共に所望のエッチング形状がコントローラブルになった。