[6p-C21-1~20] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

△ [6p-C21-3] Si epitaxial growth and doping using silane on-site generated by high-density hydrogen plasma

〇(M2)Norihisa Takei¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:plasma, CVD, doping

我々は，金属級Siから高純度Siを作製する一つの手法として，リモート型大気圧プラズマ化学輸送法を提案している．本手法では，高密度の水素プラズマによって固体Siを高速エッチングすることでシランガスをオンサイト生成し，危険な毒性ガスを高圧ガスとして保持する事無くSiのCVDが可能となる．今回は，不純物がドープされた固体Siから生成されるシランを用い，伝導型と導電率が制御されたエピSi膜の形成を試みた．