[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-9] ミニマルファブを用いたCMOSプロセスにおける電気的特性のウェハ面内均一性向上

〇古賀 和博^1,2、居村 史人^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード：ミニマルファブ、熱拡散、ボロンドーパント

液体ドーパントを用いた熱拡散によるCMOSプロセスを実用化する為に、ウエーハ内およびウエーハ間の電気特性の均一化を検討している。その為には、ボロンとリンの不純物拡散濃度の均一化が必要であるが、先ず、ボロン拡散によるpウエル濃度に着目し、塗布方法や加熱処理を見直し拡散濃度の均一化に取り組んでいる。今回、ボロン溶剤塗布後のプリベーク改善にて拡散濃度のばらつきを±9%から±3%に低減した。