[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-8] ミニマルレーザ加熱装置で形成したゲート酸化膜を用いたp-MOSトランジスタのウェハ面内特性

〇佐藤 和重^1,3、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、池田 伸一^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：ミニマルファブ、レーザ加熱