[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-7] ミニマルファブ用ミラー磁場閉じ込めプラズマ源を用いたシリコン窒化膜形成

〇後藤 哲也¹、佐藤 恵一朗²、薮田 勇気³、須川 成利¹、原 史朗^4,5 (1.東北大未来研、2.コーテック、3.誠南工業、4.産総研、5.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード：ミニマルファブシステム、低ダメージプラズマプロセス、シリコン窒化膜

ミニマルファブに対応する、永久磁石を用いたミラー磁場閉じ込め型小型ECRプラズマ源の開発を行っている。開発したプラズマ源、電源、排気システム等をミニマルファブ筐体に収め、ハーフインチウェーハによる成膜を初めて行った。プラズマ励起に用いるマイクロ波のパワーは2Wと低パワーにおいても、数10nm/分以上の実用的な成膜レートが得られ、ミラー磁場閉じ込めにより効率的に活性種が形成されていると示唆された。