[6p-C21-1~20] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[6p-C21-6] Effect of the internal structure on the Minimal Si-CVD tool

〇Takanori Mikahara^1,2, Yuuki Ishida², Takahiro Ito³, Noriko Miura¹, Shinichi Ikeda², Hitoshi Habuka⁴, Sommawan Khumpuang², Shiro Hara² (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.ORIENTAL MOTOR Co, 4.Yokohama National Univ.)

Keywords:Minimal Fab

CVD装置をミニマル化するためには、内蔵ボンベの容量を小さくしガス流量を減らさなければならない。メガファブ装置とは違いウェハ面内での膜厚分布などの不均一性が大きくなる可能性がある。本発表では、熱と流れと化学反応を連成させたシミュレーションを行い、ミニマルCVD装置とメガファブを模したCVD装置との比較を行い装置の内部構造の影響を調べたので報告する。