[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-3] Si-GaAsN における Si ドナー活性化機構

〇(M1)塚崎 貴司¹、日吉 連¹、椎野 直樹¹、尾高 拓弥¹、黒澤 拓也¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN,GaNAs、活性化機構、活性化エネルギー

GaAsNは低い窒素組成でバンドギャップエネルギーが大きく減少する特性を持ち，GaAs基板を用いた多接合型太陽電池の1.0 eV 帯材料への期待がある。このため，pn接合を構成するSi-GaAsNのSi ドーピング特性の解明は不可欠であり，Si-GaAsNにおいて窒素組成の増大に伴い室温でのSiドナー活性化率αが大きく減少することが報告されている。我々は，一般的なSiドナーの振る舞いや先行研究での報告を総合的に加味し，Si不純物が取り込まれる機構を考慮することにより，αの窒素組成依存性の解釈を試みたので報告を行う。