[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-26] Low-damage etching of n-GaN surface utilizing photoelectrochemical reactions

〇Satoru Matsumoto¹, Taketomo Sato¹, Tetsuo Narita^2,3, Tetsu Kachi³, Tamotsu Hashizume^1,3 (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.Toyota Central R&D Labs.,Inc., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN

窒化物半導体の加工にはプラズマプロセスが主に用いられるが、加工損傷等による素子特性の劣化が問題となっている。本研究では、プラズマプロセスで導入されたダメージを、より反応エネルギーの低い光電気化学(PEC)酸化反応を利用して除去するプロセスを検討した。