[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-3] PL lifetime measurement for AlGaN epitaxial films via plasma etching treatment and Al₂O₃-ALD process

〇Riku Nakashima¹, Takuma Mori¹, Daiki Hosomi¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Institute of Technology)

Keywords:PL lifetime measurement, AlGaN

AlGaN混晶は、紫外線発光・受光デバイスのみならずGaNを超えるパワーデバイス用ワイドギャップ半導体材料としても有望である。これまで当研究室では、AlGaNチャネル層を有するInAlN/AlGaNヘテロ構造の2次元電子ガス特性や電界効果トランジスタ試作について報告を行ってきた[1]。他方、こうしたAlGaN系パワーデバイスの実現を考えるうえでは、各種半導体加工プロセスの材料特性への影響を把握することが重要となる。本研究では、MOCVD成長したAlGaN膜のAs-grown品に加え、反応性イオンエッチング(RIE)を施したサンプル、ALD法によるAl₂O₃保護膜を形成したサンプルについて、紫外線レーザー励起によるフォトルミネッセンス（PL）ライフタイム測定による評価を実施したので報告する。