[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-31] InGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTの低温DC・RF特性

〇遠藤 聡¹、渡邊 一世¹、笠松 章史¹、三村 高志^1,2 (1.情報通信研究機構、2.富士通研究所)

キーワード：HEMT、InGaAs/InAs/InGaAsチャネル、低温特性