[7a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[7a-A201-3] 三フッ化塩素ガスによるエッチング後の4H-SiCウエハ表面形態

〇奥山 将吾¹、羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化、3.産総研)

キーワード：炭化珪素、三フッ化塩素、エッチング

半導体炭化珪素の製造工程においてSiCウエハを化学反応により高速にエッチングする技術を開発するため、我々はこれまでに三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いて直径50 mmのSiCウエハをエッチングする装置を試作し、多結晶3C-SiCウエハを用いて開発を進めてきた。本研究では、その装置を用いて単結晶4H-SiC鏡面研磨ウエハをエッチングし、エッチング後の表面粗さを調べたので、その結果を報告する。