[7a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[7a-A201-4] 炭化珪素エッチング装置における三フッ化塩素ガス供給設計

〇倉島 圭祐¹、奥山 将吾¹、羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化、3.産総研)

キーワード：炭化珪素、三フッ化塩素、エッチング

我々は三フッ化塩素ガスを用いて直径50 mmのSiCウエハをエッチングする装置を試作した。ウエハ面内のエッチング速度分布のClF₃ガス濃度依存性を解消するため、装置内の流れと反応を数値計算により解析し、同装置のガス導入部（仕切り板）の構造を設計したので報告する。