[7a-A402-1~10] 8.4 Plasma etching

△ [7a-A402-3] Analysis of Etching Mechanisms on of ZnO pretreated by He⁺ Ion Irradiation

〇HU LI¹, Tomoko Ito¹, Kazuhiro Karahashi¹, Masanaga Fukasawa², Akiko Hirata², Nagahata Kazunori², Tetsuya Tatsumi², Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka Univ., 2.Sony)

Keywords:ZnO, Etching, He

光電子デバイスの微細化および高性能化とともに、透明導電膜の更なる微細加工が要求される。ZnO (Znic oxide)はITO透明導電膜の代替材料として注目を集めており、そのエッチング反応機構の解明は、加工精度の向上に必要不可欠である。著者らは、過去に、水素イオンおよびHe⁺イオン照射によるZnO変質層の形成はエッチングの進行に大きく寄与することを明らかにした。今回の研究では、He⁺、Ne⁺イオン照射済のZnO表面に対しAFMによる微小表面粗さ測定、TEMによる表面構造観察およびXRDによる結晶構造解析等を行い、エッチング増幅効果のメカニズムについて調べた。その変質層のエッチング特性について定量的に評価した。