10:30 〜 10:45
[7a-A402-6] 高選択Si3N4エッチングガスC4H9Fのエッチング特性および解離挙動
キーワード:エッチングガス
高選択Si3N4エッチングとして開発したC4H9Fについて、CH3F、CH2F2とのエッチング特性の比較結果、および四重極質量分析装置を用いたプラズマ中のイオン・ラジカルの解離挙動の解析結果の報告を行う。
一般セッション(口頭講演)
8 プラズマエレクトロニクス » 8.4 プラズマエッチング
2017年9月7日(木) 09:00 〜 11:45 A402 (402+403)
林 久貴(東芝)
10:30 〜 10:45
キーワード:エッチングガス