The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.4 Plasma etching

[7a-A402-1~10] 8.4 Plasma etching

Thu. Sep 7, 2017 9:00 AM - 11:45 AM A402 (402+403)

Hisataka Hayashi(TOSHIBA)

11:00 AM - 11:15 AM

[7a-A402-8] Effect of Bias Voltage for Removal of DLC Films by Using Oxygen Plasma

Yuki Kondo1, Itaru Fujita1, Satoshi Degai1, Tsuyoshi Tanimoto1, Toru Harigai1, Yoshiyuki Suda1, Hirofumi Takikawa1, Hidenobu Gonda2, Yasuhiro Hadano3, Masao Kamiya4 (1.Toyohashi Univ. Technol, 2.OSG Corp., 3.Kojima Ind. Corp., 4.Itoh Opt. Ind. co., Ltd.)

Keywords:ashing, removal, diamond like carbon

機能性炭素膜であるダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜は工具や金型の保護膜として応用されている。コストや環境への配慮から使用済み工具や金型のDLC保護膜を除去し,母材を再利用しようという試みがある。そこで,本研究では低コストかつ環境負荷の小さな除膜方法として,酸素プラズマを用いたDLC膜の除膜を試み,除膜におけるバイアス電圧の影響を調べた。