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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.4 プラズマエッチング

[7a-A402-1~10] 8.4 プラズマエッチング

2017年9月7日(木) 09:00 〜 11:45 A402 (402+403)

林久貴(東芝)

11:15 〜 11:30

[7a-A402-9] フルオロカーボンプラズマによりエッチング処理したSi基板表面における微結晶形成プロセス

〇(M2)黒田源斗¹、高橋和生¹、西尾弘司¹ (1.京都工繊大)

キーワード：エッチング、透過型電子顕微鏡、微結晶