[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 & 3.15 Code-sharing session

[7a-A504-11] Assessment of PL Characteristics of GaInAs/InP by Ar-FAB Irradiation for Surface Activated Bonding

〇Kumi Nagasaka¹, Junichi Suzuki¹, Tomohiro Amemiya^1,2, Nobuhiko Nishiyama^1,2, Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo Tech, 2.FIRST)

Keywords:Fast Atom Beam, Direct Bonding, Photoluminescence

Fast Atom Beam (FAB) を用いたIII-V/Siの表面活性化接合法は室温での接合プロセスが可能なため、熱膨張係数の差や熱ダメージといった従来の接合法が抱える課題を解決できる接合方法として期待されている。今回、FABを用いた接合法をIII-V/Siハイブリッド光集積回路へ導入するにあたり、FABの照射時間によるGaInAs/InPウェハへの影響の深さ依存性を検討したのでご報告する。