[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-11] 表面活性化接合に向けたAr-FAB照射によるGaInAs/InPウェハのPL特性への影響評価

〇永坂 久美¹、鈴木 純一¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研)

キーワード：Fast Atom Beam、直接接合、Photoluminescence

Fast Atom Beam (FAB) を用いたIII-V/Siの表面活性化接合法は室温での接合プロセスが可能なため、熱膨張係数の差や熱ダメージといった従来の接合法が抱える課題を解決できる接合方法として期待されている。今回、FABを用いた接合法をIII-V/Siハイブリッド光集積回路へ導入するにあたり、FABの照射時間によるGaInAs/InPウェハへの影響の深さ依存性を検討したのでご報告する。