[7a-C17-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7a-C17-2] Development of novel reaction control technology for thin film fabrication using mist flow generating spacial & time gap II

〇Toshiyuki Kawaharamura^1,2, Phimolphan Rutthongjan¹, Li Liu¹, Misaki Nishi¹, Masahito Sakamoto¹, Yusuke Kobayashi¹, Pradeep E.K.C.², Giang T. Dang², Shota Sato¹, Shunsuke Yamaoki¹, Yoshiaki Nakasone¹, Mariko Ueda¹ (1.School of Sys. Eng., Kochi Univ. of Tech., 2.Res. Inst., Kochi Univ. of Tech.)

Keywords:mist CVD, reaction control, multicomponent functional thin film

前回の発表で、ミスト液滴の時間的･空間的な隔たりを利用する事により単相流体中で起こるような予測が困難な複雑な反応を無視し、多元(混晶)系機能膜の成膜速度や組成比を操作できる事を発見し、また実験を通じて本理論が正しい事を示した。この反応制御技術を備えたミストCVDをこれまでの開発状況から以降第3世代ミストCVDと記すが、本発表ではこの第3世代ミストCVDの威力について、更に詳しく調べたので報告する。