2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7a-C17-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C17 (研修室2)

西中 浩之(京都工繊大)

09:15 〜 09:30

[7a-C17-2] 時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発2

川原村 敏幸1,2、ルトンジャン ピモンパン1、刘 丽1、西 美咲1、坂本 雅仁1、小林 勇亮1、E.K.C. プラディープ2、鄧 太江2、佐藤 翔太1、山沖 駿友1、中曽根 義晃1、上田 真理子1 (1.高知工大 シス工、2.高知工大 総研)

キーワード:ミストCVD、反応制御、多元系機能膜

前回の発表で、ミスト液滴の時間的・空間的な隔たりを利用する事により単相流体中で起こるような予測が困難な複雑な反応を無視し、多元(混晶)系機能膜の成膜速度や組成比を操作できる事を発見し、また実験を通じて本理論が正しい事を示した。この反応制御技術を備えたミストCVDをこれまでの開発状況から以降第3世代ミストCVDと記すが、本発表ではこの第3世代ミストCVDの威力について、更に詳しく調べたので報告する。