[7a-C17-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7a-C17-6] Fabrication of ZnO thin film by PLD using nonequilibrium oxygen-nitrogen plasma

〇Ryosuke Kanaya¹, Kiriya Daisuke¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:ZnO, Pulsed laser deposition, nonequilibrium plasma

窒素を用いた、非平衡プラズマに、微量酸素を添加することによって、窒化力を有する活性種や、強い酸化力を有する活性種を大気圧近傍で発生させることができる。低圧ガス成長法である、PLD法を用いる場合、大気圧非平衡プラズマに特徴的な活性種のふるまいを理解する必要がある。講演ではそれ活性種のふるまいとともに、ZnO薄膜がそれらの活性種を用いて成長した場合の特性の詳細について議論する。