[7a-C17-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [7a-C17-7] Sputter-fabrication of high-quality ZnO films on Si(111) substrates via nitrogen mediated crystallization

〇Kazuya Iwasaki¹, Jiahao Lyu¹, Daisuke Yamashita¹, Hyunwoong Seo¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:zinc oxide, sputtering

最近我々はZnO膜のスパッタエピタキシー法として新たに窒素添加結晶化法を開発し，超平坦表面を有し，且つ，面内・面外ともに結晶軸が揃った高密度3次元島を有する薄膜をバッファー層として用いることで，従来困難であった格子不整合率18%であるc面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の作製に成功した．本研究では上記手法をSi(111)基板上に展開し，結晶性および表面平坦性に優れたZnO膜を形成することに成功したので報告する．