[7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[7a-C21-1] Geの金誘起層交換成長に与えるSn添加効果

〇畠中 駿介¹、高 洪ミョウ²、杉野 貴之²、佐々木 雅也²、宮尾 正信²、佐道 泰造² (1.九大工、2.九大システム情報)

キーワード：半導体、金属誘起成長