[7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[7a-C21-13] 清浄および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の中エネルギーIBIECによる再結晶化レートと界面水素量依存性

〇谷地田 剛介¹、井上 航大¹、星野 靖¹、中田 穣治¹ (1.神奈川大院理)

キーワード：イオンビーム誘起結晶成長法、水素終端化Si(001)、ラザフォード後方散乱分光法