2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:30 C21 (C21)

野口 隆(琉球大)、佐道 泰造(九大)

09:15 〜 09:30

[7a-C21-2] SiSn/絶縁基板の低温固相成長に与える膜厚効果

八木 和樹1、高 洪ミョウ2、杉野 貴之2、宮尾 正信2、佐道 泰造2 (1.九大工、2.九大システム情報)

キーワード:半導体、固相成長