[7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [7a-C21-7] SiCl₄の水素ラジカル還元による低温Si生成

〇岡本 裕二^1,2、堤 大耀³、石垣 隆正³、Fatima Zohra Dahmani⁴、角谷 正友¹ (1.物材機構、2.筑波大、3.法政大、4.USTO-MB)

キーワード：水素ラジカル、テトラクロロシラン、高純度シリコン

高純度シリコンは、トリクロロシラン(SiHCl₃)を水素ガス(H₂)で還元することで製造される(シーメンス法)。しかし、熱力学的な制約から、1200℃でのプロセス温度ではSiHCl₃の熱分解が優先的に進み、副生成物のテトラクロロシラン(SiCl₄)が生成されるため、Si収率が約25%と低いことが課題である。本研究では、熱分解反応の副生成物であるSiCl₄を原料とし、外部から供給した水素ラジカルと反応させることで、シリコンを生成することに取り組んだ。