[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7a-S22-10] GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

〇秩父 重英^1,2、小島 一信¹、嶋 紘平¹、高島 信也³、江戸 雅晴³、上野 勝典³、石橋 章司⁴、上殿 明良⁵ (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.富士電機、4.産総研、5.筑波大数物)

キーワード：窒化ガリウム、Mg添加p型GaN、発光寿命

縦型GaNパワーデバイスの実現に必要な、GaN基板上GaN:Mgの発光ダイナミクスについて考察し、点欠陥と非輻射再結合中心の関係について議論する。