[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7a-S22-9] Mgイオン注入されたGaNのCL特性アニールシーケンス依存性

〇櫻井 秀樹^1,3、山田 真嗣^1,3、大森 雅登¹、古川 幸弘³、鈴木 英夫³、須田 淳^1,2、加地 徹¹ (1.名大 未来材料・システム研究所、2.名大 院工、3.(株)アルバック半電研)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、イオン注入