[7a-S22-1~11] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [7a-S22-2] Growth condition optimization of AlN buffer layer deposited by reactive sputtering for epitaxial growth of GaN on Si

〇(M1)Kouta Tatejima^1,2, Takahiro Nagata², Keiji Ishibashi³, Kenichirou Takahashi³, Setsu Suzuki³, Atsushi Ogura¹, Toyohiro Chikyow² (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.COMET Inc.)

Keywords:GaN, AlN buffer layer, reactive sputtering

本研究では、反応性スパッタ法で作製したAlNバッファー層を用いてGaN/AlN/Siのエピタキシャル基板の実現を目的にしている。今回は、AlNバッファー層の成長形態をサファイア基板上で検討した後にSi(111)基板上で成長条件の検討を行った。その後、最適N₂流量比で成膜したAlNバッファー層上にスパッタ法でGaN薄膜成長を行い反応性スパッタ法で作製したAlNバッファー層の効果について検討を行った結果について報告する。