[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7a-S22-3] ＶＡＳ法による4‐6”ＧａＮ自立基板の製作

〇鈴木 貴征¹、北村 寿朗¹、今野 泰一郎¹、井上 敏寿¹、植松 鋭¹、藤本 哲爾¹、木村 健¹、阿部 由起雄¹、藤倉 序章¹、吉田 丈洋¹、藤生 真二郎¹ (1.サイオクス)

キーワード：窒化物