[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [7a-S22-2] Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討

〇(M1)立島 滉大^1,2、長田 貴弘²、石橋 啓次³、高橋 健一郎³、鈴木 摂³、小椋 厚志¹、知京 豊裕² (1.明治大理工、2.物質材料研究機構、3.株式会社コメット)

キーワード：GaN、AlNバッファー層、反応性スパッタ法

本研究では、反応性スパッタ法で作製したAlNバッファー層を用いてGaN/AlN/Siのエピタキシャル基板の実現を目的にしている。今回は、AlNバッファー層の成長形態をサファイア基板上で検討した後にSi(111)基板上で成長条件の検討を行った。その後、最適N₂流量比で成膜したAlNバッファー層上にスパッタ法でGaN薄膜成長を行い反応性スパッタ法で作製したAlNバッファー層の効果について検討を行った結果について報告する。