[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7a-S22-7] GaN基板上MOCVD p-GaNの電子トラップ

〇(M1)小木曽 達也¹、徳田 豊¹、成田 哲生^2,3、冨田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：p-GaN、DLTS

n⁺-GaN 基板上にp⁺⁺p^-n⁺接合をMOCVD成長により作成し、順方向バイアスパルスを用いた容量DLTS測定によりp-GaN電子トラップ評価を行った。200Kから550Kの測定温度で、正孔トラップHc(0.46eV),Hd(0.88eV),He(1.00eV),Hf(1.30eV)に加え、電子トラップE3’(0.57)が観測された。電子トラップE3’は、n-GaNで観測される電子トラップE3(0.57 eV)に活性化エネルギーが一致しているため、同一トラップの可能性が強い。