[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[7p-A202-14] VO₂/原子層半導体ヘテロ構造を用いた急峻スロープトランジスタ

〇山本 真人¹、神吉 輝夫¹、服部 梓¹、野内 亮²、谷口 尚³、渡邉 賢司³、上野 啓司⁴、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.阪府大工、3.物材機構、4.埼玉大院理工)

キーワード：強相関酸化物、二酸化バナジウム、原子層半導体

高速かつ急峻な金属－絶縁体相転移を示す強相関酸化物VO₂は、次世代のトランジスタチャネル材料として注目されている。本講演では、VO₂と原子層半導体とのヘテロ構造を用いたトランジスタを作製することで、VO₂の熱的金属－絶縁体相転移に由来する、急峻なスイッチング動作を実現したので報告する。