[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[7p-A202-4] 磁気抵抗によるTb₂Ir₂O₇薄膜のall-in-all-out反強磁性ドメインのプローブ

藤田 貴啓¹、〇小塚 裕介¹、松野 丈夫²、打田 正輝¹、塚﨑 敦³、有馬 孝尚^2,4、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東北大金研、4.東大新領域)

キーワード：イリジウム、スピン軌道相互作用、トポロジカル

トポロジカルな電子状態を利用した新たな電子材料として研究されているパイロクロア型Ir酸化物では、all-in-all-outと呼ばれる反強磁性磁気秩序を示す。本研究では、磁気ドメインを反映している磁気抵抗の線形成分を用いて、Tb₂Ir₂O₇薄膜のIrスピンへ作用する有効磁場の検出を行った。結果として、磁場が直接Irに作用する場合とTbから交換相互作用を通して有効磁場が作用する場合ではIrの感じる磁場が逆であることを明らかにした。