[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-A204-2] HfO₂-ZrO₂エピタキシャル薄膜における斜方晶相の安定性

〇木口 賢紀¹、白石 貴久¹、チェ スジン¹、舟窪 浩²、今野 豊彦¹ (1.東北大、2.東工大)

キーワード：HfO2-ZrO2、斜方晶、結晶構造

イオンビームスパッタ法を利用した固相エピタキシー法により堆積したZr_0.5Hf_0.5O₂エピタキシャル薄膜に成功した。本研究では、Zr_0.5Hf_0.5O₂薄膜のについて、収差補正STEM観察とイメージシミュレーションにより、斜方晶相のドメイン構造、斜方晶相と単斜晶相の結晶構造の対応関係、斜方晶相の相安定性について検討した。