[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-19] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法のアンモニアガス添加によるInGaN/GaNナノ構造の作製

〇松岡 明裕¹、生江 祐介¹、石嶋 駿¹、小川 航平¹、大江 優輝¹、川崎 祐生¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智ナノテクセンター)

キーワード：半導体、LED、ナノ構造

窒化物半導体の低損傷加工技術は、デバイスの高機能化や高性能化をもたらすナノ構造作製への応用が期待される。我々は、これまでにGaNの熱分解反応を利用した水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を提案し、GaNナノ構造の形成やInGaN/GaNナノLEDの作製について報告してきた。本稿では、HEATE法によるInGaN/GaN系デバイス構造のエッチング形状に対するアンモニアガスの導入効果を調べた。