[7p-A301-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[7p-A301-4] Design of Wavelength Conversion Device with Polarity Inverted AlN Waveguide

〇(M1)Shuhei Yamaguchi¹, Masahiro Uemukai¹, Kazuya Takahashi², Motoaki Iwaya², Isamu Akasaki², Yusuke Hayashi³, Hideto Miyake³, Tomoya Yamada¹, Yasufumi Fujiwara¹, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 2.Fac. Sci. & Tech., Meijo Univ., 3.RIS, Mie Univ.)

Keywords:AlN, waveguide wavelength conversion device, polarity inverted structure

GaNやAlNなどの窒化物半導体は大きな光学非線形性を有し、波長変換デバイスへの応用が期待される。本研究では、面内一斉に極性反転させた窒化物半導体を積層することで、簡便に作製可能で従来の周期分極反転構造と同等の波長変換効率をもつ深紫外光発生用デバイスの実現を目指し、AlN積層導波路型SHGデバイスを新規提案し設計を行った。またこれをもとに、予備実験として単層AlNチャネル導波路を作製した。