[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-4] 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計

〇(M1)山口 修平¹、上向井 正裕¹、髙橋 一矢²、岩谷 素顕²、赤﨑 勇²、林 侑介³、三宅 秀人³、山田 智也¹、藤原 康文¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.名城大理工、3.三重大地域イノベ)

キーワード：AlN、光導波路型波長変換素子、極性反転構造

GaNやAlNなどの窒化物半導体は大きな光学非線形性を有し、波長変換デバイスへの応用が期待される。本研究では、面内一斉に極性反転させた窒化物半導体を積層することで、簡便に作製可能で従来の周期分極反転構造と同等の波長変換効率をもつ深紫外光発生用デバイスの実現を目指し、AlN積層導波路型SHGデバイスを新規提案し設計を行った。またこれをもとに、予備実験として単層AlNチャネル導波路を作製した。