2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[7p-A402-7~23] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2017年9月7日(木) 15:00 〜 19:30 A402 (402+403)

井上 泰志(千葉工大)、大津 康徳(佐賀大)

16:30 〜 16:45

[7p-A402-13] 反応性スパッタリングによるSiOxのin-situ成膜速度モニタリング

藤堂 颯哉1、下窄 義行1、廣木 珠代1 (1.キヤノン)

キーワード:スパッタリング、光学薄膜

光学膜などの化合物薄膜を成膜する反応性スパッタリングでは、成膜速度を大きくするための手法の1つとして、プラズマエミッションモニタ(PEM)制御による遷移モード成膜が知られている。遷移モード成膜においては、膜厚の再現性を得るためにin-situでの成膜速度モニタリングが重要である。本講演では、プラズマ吸収分光法を援用して反応性スパッタリングにおける成膜速度のモニタリング方法について実験的に検証し、成膜速度とプラズマ中の粒子密度の関係およびそのメカニズムについて議論する。