[7p-A402-7~23] 8.3 Plasma deposition of thin film and surface treatment

△ [7p-A402-14] Development of Silicon Oxide Gate Dielectric layers Deposition Process
Using Atmospheric Pressure Plasma Enhanced CVD

〇Yuichiro Kimoto¹, Koji Terawaki¹, Hiroshi Yamasaki¹, Takeshi Maekawa¹, Hiromasa Ohmi¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor, Plasma Enhanced CVD, the gate insulating film

フレキシブルデバイスに用いる薄膜トランジスタではプラスチック基板上にゲート絶縁膜を形成する必要がある. 我々は大気圧プラズマCVD法を用いた低温かつ高速なSiOxゲート絶縁膜の形成技術の開発を進めている．今回，成膜時の基板温度とプラズマ中O₂濃度が膜構造の特性に及ぼす影響を検討した．基板温度が120 ºC，酸素流量が50 sccmの時，緻密性及び電気的特性の両方が最も優れたSiOx薄膜が得られた.